Pols de -SiC d'alta puresa

 

La pols de carbur de silici (SiC) és un material ceràmic-d'alt rendiment conegut per la seva duresa, conductivitat tèrmica i resistència química excepcionals. Es produeix sintèticament a través delProcés Acheson(reducció carbotèrmica de sílice) o mètodes avançats de deposició química de vapor (CVD). La pols de SiC s'utilitza àmpliament en abrasius, refractaris, semiconductors i ceràmica avançada a causa de les seves propietats mecàniques i tèrmiques superiors.

 

🔹 Fórmula química:SiC
🔹 Núm. CAS: 409-21-2
🔹 Aparença:Pols cristal·lí negre o verd

 

 

 

La nostra pols de -SiC d'alta puresa està disponible en diferents graus per satisfer les demandes industrials i de recerca:

Propietat	Especificacions
Puresa	99% min, 99,9% (Grau de puresa-alt)
Mida de partícules	0,5 µm – 100 µm (personalitzable)
Densitat	3,21 g/cm³
Duresa de Mohs	9,5 (segon només per diamant 💎)
Punt de fusió	~2.700 graus (4.892 graus F)
Conductivitat tèrmica	120-200 W/m·K
Resistivitat elèctrica	10³ – 10⁶ Ω·cm (semi-conductor)

Disponible a-SiC (hexagonal)i-SiC (cúbic)estructures cristal·lines.

 

 

 

✅ Duresa extrema (Mohs 9,5: rendiment proper al-diamante)

Superior a l'alúmina i el carbur de tungstè: La duresa de SiC (9,5 Mohs) supera l'alúmina (9,0) i rivalitza amb el carbur de bor (9,3), per la qual cosa és ideal per a:

Eines de tall: inserts de mecanitzat CNC per a metalls no-ferrosos.

Abrasius: Mitjans de granallament per gravar vidre/metall (per exemple, SiC de gra 80 per a una preparació de superfícies de precisió).

Utilitzeu recobriments: els recobriments de SiC-polveritzats amb plasma allargaran la vida útil dels equips de mineria.

 

✅ Alta conductivitat tèrmica (120–200 W/m·K – 3x alumini!)

Domini de la dissipació de calor: els substrats de SiC refreden l'electrònica d'alta{0}}potència un 50% més ràpid que el nitrur d'alumini (AlN).

Electrònica: Plaques base per a inversors EV (per exemple, MOSFET SiC de Tesla).

Dissipadors de calor LED: evita la decadència de la llum en els LED-d'alta brillantor.

 

✅ Inercia química (resistent a la corrosió fins i tot a 1.600 graus)

Resistència àcid/àlcali: suporta HF, HNO₃ i sals foses (clau per als revestiments de reactors químics).

Resistència a l'oxidació: Forma una capa passiva de SiO₂ a l'aire fins a 1.700 graus (en comparació amb el grafit, que s'oxida a 600 graus).

 

✅ Baixa expansió tèrmica (4,0 × 10⁻⁶/grau - estabilitat sota xoc tèrmic)

Crític per als refractaris: les prestatgeries de forn de SiC sobreviuen a 1,000+ cicles tèrmics sense trencar-se.

Aplicacions espacials: Els miralls de satèl·lit utilitzen compostos de SiC per evitar la distorsió a l'òrbita.

 

✅ Propietats elèctriques ajustables (ampli marge de banda: 2,3–3,3 eV)

Electrònica de potència: Els díodes de SiC redueixen la pèrdua d'energia en un 70% en comparació amb el silici (per exemple, els carregadors ràpids EV).

Dispositius de RF: les estacions base 5G aprofiten l'estabilitat d'alta-freqüència de SiC.

 

 

 

🔸Abrasius i poliment

Compostos de lligat: 0,5 µm SiC per a l'acabat de lents òptiques (p. ex., lents de càmera Zeiss).

Alternatives al diamant: purín de SiC rendible-per a la mòlta posterior d'hòsties (semiconductors).

 

🔸Refractaris

Indústria de l'acer: gresols de SiC (99% de puresa) per a la fusió d'aliatges no-ferrosos (Al, Cu).

Foneries: motlles de grafit recoberts de SiC-per a la fosa de precisió.

 

🔸 Ceràmica i Composites Avançats

Armadura corporal: els compostos de SiC-Al₂O₃ paren rondes de 7,62 mm amb la meitat del pes de l'acer.

Telescopis espacials: miralls de SiC (p. ex., l'híbrid-SiC de beril·li de James Webb).

 

🔸 Electrònica

Substrats d'hòsties: hòsties de SiC de 150 mm per a dispositius de potència de 1.200 V+ (Wolfspeed, Infineon).

Sensors: SiC MEMS per a entorns durs (per exemple, monitorització de la temperatura del motor a reacció).

 

🔸 Automoció i Aeroespacial

Sistemes de frens: els frens PCCB de Porsche utilitzen fibra de carboni reforçada SiC-.

Broquets de coets: Els revestiments del motor Raptor d'SpaceX suporten una fuita de 3.500 graus.

 

🔸Energia

Fusió nuclear: Revestiment de SiC-SiC per a còdols de combustible TRISO (reactors-de propera generació).

Ànodes de bateria: Nano-SiC augmenta la vida del cicle d'ions de li-un 300%.

 

 

 

🔹 Qualitat i consistència

Traçabilitat de lots: Cada lot es va provar mitjançant XRD (cristallinitat) i difracció làser (mida de partícula).

Certificació ISO 9001: Menys o igual al 0,1% d'impureses metàl·liques (Fe, Al, Ca).

 

🔹 Personalització

Morfologia de partícules: Esfèric (per a recobriments) vs. angular (per a abrasius).

Variants dopades: tipus N-(nitrogen) o tipus P-(alumini) per a R+D de semiconductors.

 

🔹 Rentabilitat

Descomptes a granel: 20% d'estalvi en comandes d'1 tona.

Magatzems locals: Stock a la UE/EUA/Àsia per reduir els costos d'enviament.

 

🔹 Logística i Suport

Lliurament-a-temps: 48 hores d'execució per a projectes urgents d'R+D.

Enginyers d'aplicacions: Consulta gratuïta per al disseny de compostos de SiC (p. ex., optimització de la sinterabilitat).

 

🔹 Sostenibilitat

SiC reciclat: Upcycled a partir dels residus de la producció d'hòsties solars (un 20% menys d'empremta de CO₂).

Etiquetes populars: pols de sic d'alta -puresa, fabricants, proveïdors, fàbrica de pols de sic d'alta-puresa de la Xina